Что такое DDR2 и DDR3 и в чем разница между ними. Характеристики и маркировка оперативной памяти
Для правильного выбора оперативной памяти необходимо разбираться в маркировке характеристик и понимать их влияние на быстродействие компьютера. Нельзя опираться только на объём памяти и игнорировать другие важные параметры.
- Расшифровка обозначений
Расшифровка обозначений
Производители оперативной памяти используют часто свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.
4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11
Стандарт планок DIMM, UDIMM и SODIMM
Такими сокращениями обозначают стандарт планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) - для ноутбуков - по размеру короче и выше.Кроме этого можно встретить следующие обозначения:- U-DIMM - без буфера;
- R-DIMM - с буфером;
- LR-DIMM - с буфером и пониженным энергопотреблением;
- FB-DIMM - с полной буферизацией.
U-DIMM - разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично. В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM - планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.
Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L
Типы памяти отличаются по техническим характеристикам. DDR4 работает на более высоких частотах и более энерго эффективна. Подробно . Отмечу, что DDR4 и DDR3/DDR3L память несовместимы.Разница между DDR3 и DDR3L заключается лишь в энергоэффективности. «L» это сокращение от «Low». Память с этим маркером потребляет 1.35V, в то время как без него - 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться одновременно в одном компьютере. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц
Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.
| Серия процессора | Max частота |
|---|---|
| Core i3 | |
| Core i3 8й серии | 2400 МГц |
| Core i3 7й серии | 2133/2400 МГц |
| Core i3 6й серии | 2133 МГц |
| Core i3 4й серии | 1600 МГц |
| Core i5 | |
| Core i5 7й серии | 2400 МГц |
| Core i5 6й серии | 2133 МГц |
| Core i5 4й серии | 1600 МГц |
| Core i7 | |
| Core i7 7й серии | 2666 МГц |
| Core i7 6й серии | 2400 МГц |
| Core i7 4й серии | 1600 МГц |
| AMD FX | |
| AMD FX-4ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-6ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-8ххх | 1866 МГц |
| AMD Ryzen | |
| AMD Ryzen 3 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 5 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 7 1й серии | 2933 МГц |
Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200
Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость - тем лучше.| Частота | Скорость |
|---|---|
| 2400 МГц | PC19200 |
| 2133 МГц | PC17000 |
| 1866 МГц | PC14900 |
| 1600 МГц | PC12800 |
| 1333 МГц | PC10600 |
Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4». Ссылка на тип памяти - DDR3 или DDR4.
В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».
- U - U-DIMM;
- S - SO-DIMM;
- R - R-DIMM;
- L - LR-DIMM;
- F - FB-DIMM.
Редко встречается «E» - ECC (error-correcting code) - память c коррекцией ошибок.
Тайминг: 8-8-8-24, CL11
Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. А Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения - CL11 (CAS Latency 11).Чем меньше задержки, тем лучше. Но это не точно. Дело в том, что, архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и процессор не так часто обращается к оперативной памяти. Поэтому в DDR3 и DDR4 этим показателям производители не уделяют должного внимания. Разницу в быстродействии между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.
Размещение чипов памяти: 1Rx8 и 2Rx8
В некоторых моделях памяти в маркировке присутствует обозначение 1Rx8 или 2Rx8. Это указание на схематическое расположение чипов на плате.- 1Rx8 - 8 чипов на одной стороне платы;
- 2Rx8 - 16 чипов по 8 с каждой стороны.
Расшифровка маркировки Corsair
Маркировка оперативной памяти фирмы «Corsair» значительно отличается от обозначений других производителей. Разберем обозначения «Corsair DDR4 CMU32GX4M4A2666C16R».
- CM - это аббревиатура Corsair Memory;
- U - серия;
- 32G - общий объём памяти комплекта;
- X4 - цифра указывает на тип памяти DDR4 (Х3 - DDR3);
- M4 - количество планок, которые входя в комплект;
- A2666 - частота работы оперативной памяти в мегагерцах;
- C16 - тайминг считывания (16 тактов);
- R - цвет радиатора, то есть красный (Red).
Развернутый вид: Vengeance 32GB (4 x 8GB) DDR4 DRAM 2666MHz C16 Memory Kit - Red .
Выбор объёма оперативной памяти
Объём памяти следует выбирать из материальных возможностей и назначения компьютера. В игровых платформах необходимо иметь в наличии 8 гигабайт. Этот объём указан в требованиях ко многим современным играм. Для домашнего или офисного ПК можно ограничиться 4 гигабайтами, хотя из личного опыта могу сказать что иногда этого мало и системе приходится расширять объём за счёт жесткого диска. Это приводит к небольшим задержкам при переключении между запущенными программами, но в целом, для работы не критично.Основные характеристики для выбора
Многие характеристики неважны при выборе оперативной памяти. Основной упор следует делать на тип и частоту работы памяти. Не забывайте проверять эти параметры на совместимость с процессором и материнской платой. Небольшим преимуществом будет пониженное энергопотребление или наличие радиатора. Хотя, практика показывает что перегрев происходит редко.Память DDR
Double Data Rate -Synchronous DRAM, DDR - синхронная DRAM с двойной скоростью передачи данных . К сожалению , DDR- ы часто тоже называют аббревиатурой DIMM, что вызывает огромную путаницу. Т.к. тип памяти - SDRAM, еще одно название - SDRAM-II (т.е. SDRAM второго поколения). Третье название - DDR первого поколения.
По принципам работы DDR-SDRAM похожа на SDRAM. Она может принимать и передавать данные два раза за такт – на обоих фронтах тактовых импульсов (по восходящему и нисходящему фронту стробирующего сигнала), что удваивает скорость предачи данных. У DDR-SDRAM меньше потребляемая мощность (удобно для карманных компьютеров). В DDR RAM используется протокол DLL (Delay Locked Loop), позволяющий сдвинуть во времени интервал действительного значения выходных данных. Таким образом сокращаются простои системной шины при считывании данных на нее из нескольких модулей памяти.
Расшифровка названий DDR I:
PC-1600 (DDR 200) = 100MHzx2 = 1.6 Гб/с пропускная способность
PC-2100 (DDR 266) = 133MHzx2 = 2.1 Гб/с пропускная способность
PC-2400 (DDR 300) = 150MHzx2 = 2.4 Гб/с пропускная способность
PC-2700 (DDR 333) = 166MHzx2 = 2.7 Гб/с пропускная способность
PC-3000 (DDR 366) = 183MHzx2 = 3.0 Гб/с пропускная способность
PC-3200 (DDR 400) = 200MHzx2 = 3,2 Гб/с пропускная способность
PC-3500 (DDR 434) - модули HyperX DDR-памяти от Kingston
Модули SDRAM PC66/PC100/PC133/PC150 не могут работать с DDR-материнскими платами, т.к. DDR использует новый 184-pin-овый формат модуля и физически несовместим с 168-pin-овым форматом модулей DIMM.
У канадской компании Corsair есть серия памяти XMS (Xtreme Memory Speed, память экстремальной скорости). Это т.н. супер-быстрая память. Выпускается в варианте от 512Мб на модуль, т.к. по их тестам 512Мб одним модулем оказывается быстрее, чем два по 256Мб. В т.ч. компания выпускает PC-3000 (CMX512-3000C2) со временем 2-3-3 1Т.
В апреле 2002 года компания Samsung первой выпустила 128 Мб-чипы DDR 400 SDRAM для применения в видеокартах. Они работают на частоте 800МГц (400 Мгц DDR) при напряжении 2,8 вольт.
Следует отметить, что многие ПК при установке модулей PC-2700 (и выше) в системные платы сразу не запускаются, даже при заниженных таймингах. Необходима новейшая прошивки BIOS-а. Во-вторых, очень важна проблема охлаждения модулей, работающих на такой частоте. в случае с памятью DDR400 используется новый, специальный тип корпусов для чипов, который решает проблему тепловыделения. А, например, компания OCZ на свой PC-3000 прикрепила с обеих сторон модуля по радиатору.
На начало 2002г. века память DDR-I (в просторечии - DDR) исчерпала технологические возможности наращивания тактовой частоты в экономически оправданных пределах, поэтому появился стандарт DDR-II.
DDR II... Впервые спецификация DDR-II, второго поколения памяти DDR SDRAM, была представлена в марте 2002 года во время конференции JEDEX в Калифорнии. DDR-II очень похож на DDR, но работает на 200 МГц тактовой частоте. DDR-II обратно совместим с DDR, т.е. можно использовать DDR-I память в DDR-II платах.
Первые образцы появились в конце 2002 года от компания Samsung Electronics в 60-контактном BGA-корпусе. Конструктивные отличия от DDR-I - три. Во-первых , количество контактов увеличилось с 184 до 240, т.е., почти на треть. Во-вторых , микросхемы памяти выполнены в конструктиве FBGA, а в старых модулях DDR-I использовались TSOP и TBGA. Микросхемы в упаковке FBGA работают более стабильно за счет возможности калибровки сигнальных импульсов и лучшей целостности сигнала. В-третьих , рабочее напряжение модулей уменьшено с 2,5 В (и 2,6 В для DDR 400) до 1,8 В для DDR-II. Т.о. потребляемая мощность снижена на 28%.
В рамках стандарта DDR-II выпущены-готовятся спецификации DDR II 400, DDR II 533, DDR II 667, DDR II 800 и DDR II 1000. При этом DDR II 400 сертифицировано JEDEC только исходя из интересов корейской Samsung и американской Micron -а. Все другие компании не собираются выходить на рынок с 400-МГц DDR-памятью.
Расшифровка названий DDR II:
PC2-3200 (DDR II 400) = 100MHzx4 = 3,2 Гб/с пропускная способность
PC2-4300 (DDR II 533) = 133MHzx4 = 4,3 Гб/с пропускная способность
PC2-5400 (DDR II 667) = 166MHzx4 = 3,2-5,4 Гб/с пропускная способность
PC2-6400 (DDR II 800) = 200MHzx4 = 3,2-6,4 Гб/с пропускная способность
Первой в мае 2002 года чип DDR-II представила компания Samsung , второй - в июле 2002г. компания Elpida Memory , третьим вендором стал Micron в феврале 2003г. Все модули - 512Мб.
GDDR-III (GDDR3)... В первом полугодии 2003 года появились чипы памяти GDDR-III, разработанные для высокопроизводительных графических плат от компаний Micron Technology и ATI Technologies . В разработке и коммерциализации GDDR-III принимают участие NVIDIA , корейская Hynix Semiconductor , Infineon Technologies . Причина - DDR-II очень медленная для серьезных графических приложений. GDDR-III может работать также в коммуникационных устройствах и бытовой электронике.
Первоначально чипы GDDR-III имели емкость 256 Мбит, тактовую частоту 500 МГц и линейную пропускную способность 1 Гбит/с на вывод. Затем тактовые частоты выросли до 750 МГц, линейная пропускная способность – до 1,5 Гбит/с на вывод. При формировании I/O шины GDDR-III используется технология с открытым стоком (в отличие от двухтактной I/O шину у памяти для ПК) и применяется внутрикристалльная терминация (on-die termination, ODT). Несмотря на то, что спецификации GDDR-III основаны на стандарте DDR-II, это совсем другие чипы в корпусах CSP (chip-scale packaging) , в 144-контактной BGA конфигурации, в отличие от 84-контактных чипов DDR-II в корпусе CSP.
Открытый стандарт памяти GDDR-III спецификаций третьего поколения DDR DRAM для графики (от ATI Technologies ) существует за рамками стандартов, одобренных JEDEC Solid State Technology Association.
DDR III ... В JEDEC начата работа над спецификациями стандарта DDR-III для ПК. Пять производителей DRAM - Elpida, Hynix, Infineon, Micron и Samsung , разделили между собой основные части будущего стандарта и теперь каждая из них ведет разработку черновых спецификаций своей части.
Стандарт DDR-III в рамках JEDEC также нацелен на достижение линейной пропускной способности от 1 Гбит/с и выше.
Что за стандарт такой - DDR3? Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate - попросту DDR3 SDRAM , представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на смену нынешнего поколения DDR2 SDRAM. Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, мы можем говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). При сохранении основного строения архитектуры, ключевым изменениям подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.
Среди основных преимуществ нового стандарта, прежде всего, стоит отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование нового поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов – до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, к примеру, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667. Имеет ли новая оперативная память DDR3 какое-то отношение к графической памяти GDDR3 в видеокартах или приставках Xbox 360? Нет, не имеет. Под схожими названиями скрывается разная архитектура, с совершенно несхожими схемами буферизации и т.д. Так что отныне лучше не смешивать термины "DDR3" и "GDDR3". Каковы основные функциональные особенности памяти DDR3? Основные особенности архитектуры чипов DDR3 SDRAM таковы:
- Появление контакта асинхронного сброса (RESET)
- Поддержка компенсации System Level Flight Time
- "Зеркальная" цоколёвка чипов с удобным расположением контактов для сборки модуля DIMM (On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout)
- Появление скоростного буфера CWL (CAS Write Latency)
- Внутрикристальный модуль калибровки I/O
- Калибровка READ и WRITE
- Типичные (ожидаемые) маркировки чипов в зависимости от скорости: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600
Основные особенности модулей DDR3:
- "Сетевая" Fly-by топология командной/адресной/управляющей шины с внутримодульной (On-DIMM) терминацией
- Прецизионные внешние резисторы (ZQ resistors) в цепях калибровки
Увы, на нынешнем этапе архитектура DDR2 начинает фактически "упираться" в потолок своих возможностей, что завязано на тактовые частоты процессоров и топологию шин. Сейчас пока рано говорить о сроке жизни DDR3, однако не будет ничего невероятного, если через три года ей на смену придёт что-то вроде DDR4. Такова жизнь. Так каков же "потолок" тактовых частот модулей памяти DDR3 DIMM? Пока что речь идёт о чипах DDR3-1600, на базе которых будут выпускаться модули PC3-12800 с пропускной способностью до 12,80 Гб/с. Однако в документации Intel уже встречалось упоминание того, что DDR3 теоретически может быть масштабирована до частот вплоть до 2133 МГц. Есть ли физическая разница между модулями DDR2 и DDR3? Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM. Такая "защита от дурака", предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти. Какие типы модулей DDR3 будут типичным явлением на рынке памяти? Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM. Относительно форм-факторов памяти DDR3 – что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, а также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более "высокие" модули. Какова будет типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM? Ещё на стадии тестирования стандарта DDR3 производители работали с чипами ёмкостью 512 Мбит и создавали 1 Гб модули; теоретически ёмкость модулей DDR3 может достигать 8 Гбит. Типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM по мере роста популярности составит 1 Гб – 4 Гб, теоретически – до 32 Гб. Что касается модулей DDR3 SO-DIMM для мобильных ПК, появление образцов которых ожидается в ближайшее время, а начало массового производства (по крайней мере, компанией Samsung) запланировано на начало 2008 года, типичные ёмкости будут располагаться в диапазоне 512 Мб – 4 Гб. Первые модули памяти DDR3 DIMM, безусловно, будут недешёвым явлением. Как скоро ожидается снижение цен на модули памяти DDR3 DIMM до нормального "массового" уровня? Ожидается, что уже в 2007 году производители модулей памяти возьмут агрессивный старт на рынке DDR3, и, по мере становления и нарастания массовости платформ нового поколения, память будет дешеветь. По предварительным прогнозам Intel, память DDR3 получит определённое распространение уже в текущем году, а в 2008 году можно будет говорить об её массовости – по крайней мере, прогнозы iSuppli это подтверждают. Стандарт DDR3 есть, скоро будут платы, а успеют ли производители с чипами DDR3 и модулями DIMM к анонсу? Безусловно. Индустрия в целом готова к появлению DDR3, множество производителей чипов и памяти уже объявили о валидации своих изделий у Intel и готовности к массовому производству.
Полную линейку чипов, прошедших процесс тестирования, квалификации и валидации у Intel можно посмотреть на этой странице:
Validated DDR3 800/1066MHz SDRAM Components
Производители модулей также объявили о полной готовности. Так, компания Corsair уже представила 1 Гб модули DDR3-1066 DHX с таймингами 6-6-6-24, а на перспективу в серии DOMINATOR уже в этом квартале готовится выпуск модулей DDR3-1333 и выше. Компания OCZ Technology на днях представила свои наборы модулей PC3-8500 (1066 МГц, CL 7-7-7-21) в серии Gold Series (с позолоченными радиаторами XTC), в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G10661GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G10662GK), а также наборы модулей PC3-10666 (1333 МГц, CL 9-9-9-26) той же серии в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G13331GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G13332GK). Какое количество слотов под модули DDR3 DIMM будет типичным для новых систем?Первоначально идея использования ёмких 1 Гбит и 2 Гбит чипов преследовала цель уменьшить количество слотов на плате до двух без необходимости жертвовать количеством поддерживаемой памяти. Однако типичный покупатель всё же по-прежнему предпочитает апгрейдиться, осообенно пока память недёшева. Именно поэтому типичная материнская плата по-прежнему будет обладать четырьмя слотами DDR3 DIMM.
Когда поддержка DDR3 будет реализована компанией AMD?
Компания AMD, в числе других лидеров компьютерной индустрии, объявила о поддержке и планах перехода на память DDR3, однако лишь в отдалённой перспективе. Исследования в области поддержки DDR3 компания AMD ведёт в близком сотрудничестве с SimpleTech. Уже достоверно известно, что интегрированные контроллеры памяти процессоров AMD с рабочим названием Barcelona будут поддерживать модули DDR2-1066. Модули DDR2-1066 сейчас проходят процедуру стандартизации в организации JEDEC, и AMD планирует именно с помощью продления жизни DDR2 отсрочить переход на DDR3. Вспомните, та же самая ситуация складывалась и при переходе на DDR2, тогда AMD также достаточно долго не могла распрощаться с DDR. Ожидается, что впервые память DDR3 будет поддерживаться процессорами AMD под разъём AM3, и показаны такие чипы будут не ранее третьего квартала 2008 года. Сейчас специалисты AMD называют переход на массовое использование памяти DDR3 в настольных системах преждевременным – мол, мы подождём 2009 года, когда этот тип памяти станет достаточно массовым и относительно недорогим. Хотя, уже есть информация, что тестирование и валидация чипов компанией AMD, начавшаяся в 2007 году, "встанет на крыло" уже в 2008 году. Что ж, компании Intel вновь предложена роль "локомотива индустрии" в проталкивании новых стандартов. С другой стороны, нельзя не признать, что такое положение – за счёт предложения действительно передовых технологий и производительных решений, регулярно помогает ей, что называется, "снимать сливки". Так что же AMD? Увы, новое процессорное ядро с рабочим названием Griffin, появление которого можно ожидать в начале 2008 года, также будет обладать лишь встроенным контроллером памяти DDR2 - хоть и продвинутым, сдвоенным, с двумя независимыми режимами работы, но, тем не менее, без малейшего намёка на поддержку DDR3. Поскольку производственный цикл процессоров AMD в целом худо-бедно укладывается в 18-месячный цикл, так, приблизительно, и получится, что чипы AMD обзаведутся поддержкой DDR3 не ранее 2009 года, а то и позже. Какие чипсеты с поддержкой DDR3 от Intel можно ожидать в ближайшее время? Что и когда ожидается в рознице? Разумеется, в числе первых системных плат с поддержкой DDR3 стоит ожидать новинки на чипсетах нового поколения Intel 3 Series - те что носили собирательное рабочее название Intel Bearlake. Эти чипсеты будут поддерживать новые процессоры Intel Core c FSB 1333 МГц и новую оперативную память DDR3-1333. Впрочем, сразу стоит оговориться, что не каждый чипсет из семи, ожидаемых в серии Bearlake - X38, P35, G35, G33, G31, Q35 и Q31, будет работать с DDR3 (равно как и с новыми FSB 1333 МГц процессорами) – традиционно, речь идёт лишь о чипсетах для High-end и Mainstream рынка.
Полная официальная информация о чипсетах серии Intel 3 Series Bearlake появится на нашем сайте достаточно скоро. Для статьи FAQ по DDR3 мы подготовили специальную "облегчённую" таблицу, с уточнением поддержки стандартов оперативной памяти.
Спецификации чипсетов серии Intel 3 Series (Bearlake), поддержка DDR3
Чипсет |
X38 | P35 | G35 | G33 | G31 | Q35 | Q33 |
|
Рабочее название |
Bearlake X |
Bearlake P |
Broadwater |
Bearlake G |
Bearlake GZ |
Bearlake Q |
Bearlake QF |
|
| Примерная дата анонса | 3 квартал |
Июнь |
3 квартал |
Июнь |
3 квартал |
|||
| Сегмент рынка | Энтузиасты, геймеры |
Mainstream |
Value |
Business Mainstream |
Business Value |
|||
| Поддержка CPU | Core2 Extreme | |||||||
| Core2 Quad | ||||||||
| Core2 Duo | ||||||||
| Yorkdale | ||||||||
| Wolfdale | ||||||||
| FSB | 1333 МГц | |||||||
| 1066 МГц | ||||||||
| 800 МГц | ||||||||
| Память | Слотов | 4 (2 DIMM х 2 канала) |
||||||
| Max. ёмкость | ||||||||
| Поддержка | DDR3 / DDR2 |
DDR3 / DDR2 |
||||||
| FSB в сочетании с памятью | 1333 / DDR3-1333 | |||||||
| 1333 / DDR3-1066 | ||||||||
| 1333 / DDR3-800 | ||||||||
| 1066 / DDR3-1066 | ||||||||
| 1066 / DDR3-800 | ||||||||
| 800 / DDR3-800 | ||||||||
| 1333 / DDR2-800 | ||||||||
| 1333 / DDR2-667 | ||||||||
| 1066 / DDR2-800 | ||||||||
| 1066 / DDR2-667 | ||||||||
| 800 / DDR2-800 | ||||||||
| 800 / DDR2-667 | ||||||||
| Встроенная графика | Инт. ядро | 4 поколение |
3,5 поколение |
|||||
| DirectX | DX10 |
|||||||
| Кодек VC-1 | ||||||||
| Внешнее видео | PCIe 2х16 (5 Гб/с) |
PCIe x16 |
||||||
| Южный мост | ICH9 | |||||||
| ICH9R | ||||||||
| ICH9DO | ||||||||
| ICH9DH | ||||||||
| ICH8 | ||||||||
| ICH8R | ||||||||
| ICH8DH | ||||||||
| ICH7 | ||||||||
| ICH7DH | ||||||||
| Технологии | PCI Express 2.0 | |||||||
| AMT 3.0 | ||||||||
| VT-D | ||||||||
| TXT (LaGrande) | ||||||||
| Платформа | VPro | |||||||
| Viiv | ||||||||
Впрочем, для нас в рамках сегодняшнего материала самым интересным является то, что чипсеты Cantiga будут поддерживать FSB 1066 МГц, а также модули памяти SO-DIMM стандартов DDR2-667 (DDR2-800 поддерживаться не будет) и DDR3-800. Увы, в мобильном исполнении – начиная только с DDR3-800, но и это уже неплохо в плане экономичности, да и производительности. О более далёких перспективах DDR3 для мобильных платформ информации пока нет. Стоит ли в ближайшее время ожидать чипсеты для системных плат с поддержкой DDR3 от других производителей? Говоря о чипсетах DDR3, сразу же стоит оговориться, что пока что речь может идти лишь о поддержке платформ с процессорами Intel. Причина понятна: пока не появятся процессоры AMD с интегрированным контроллером памяти DDR3, говорить не о чем. Компания SiS обещает появление рабочих образцов первых собственных чипсетов с поддержкой DDR3 и встроенной DX10 графикой Mirage 4 уже в ближайшее время. Новые чипсеты, по предварительной информации, получат названия SiS673 и SiS673 FX. Чипсет SiS673 будет поддерживать процессоры Intel с FSB 1066 МГц и 2-канальную память DDR2-800/DDR3-1066, более производительный чипсет SiS673 FX сможет поддерживать DDR2-1066/DDR3-1333 и процессоры с FSB 1333 МГц. Массовое производство SiS673 может начаться в третьем квартале 2007. Первый дискретный северный мост SiS665 будет представлен ближе к концу 2007 года. Начало массового производства SiS665 сейчас позиционируется на 2008 год. Предполагается, что производством чипсета займется UMC с использованием 80-нм техпроцесса. Скорее всего, SiS665 будет поддерживать сразу два стандарта: DDR2 и DDR3. Согласно планам компании, SiS665 будет поддерживать шину PCI Express 2.0. Для рынка мобильных решений SiS планирует представить IGP-чипсеты с поддержкой DirectX 10 и памяти DDR3. Чипсет SiS M673 будет поддерживать "старые" процессоры Pentium 4 NetBurst, M673MX – Pentium M, оба будут работать с DDR3 и DDR2 с рабочими частотами 533/667 МГц. Оба чипсета – SiS M673 и SiS M673MX, будут работать с южными мостами SiS 968/969. Компания VIA Technology планирует представить чипсеты PM960 и PT960, поддерживающие процессоры Intel с шиной FSB 1333 МГц, память DDR3 и новый интерфейс PCI Express 2.0. Интегрированная версия - VIA PM960, с новым графическим ядром S3 Chrome 9 HD (450 МГц), станет основной для ПК класса Vista Premium Ready. Дискретный северный мост PT960 будет поддерживать одноканальную память DDR2-1066/DDR3-1333. Мы надеемся, что эта публикация поможет вам разобраться с новым стандартом оперативной памяти DDR3. Будем рады получить ваши замечания, критику, исправления и дополнения по этой сборке вопросов и ответов. В случае, если среди опубликованного нет ответа на ваш вопрос – пишите, FAQ будет постоянно дополняться и совершенствоваться.
В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативной памяти для настольных компьютеров:
- DDR - является самым старым видом оперативной памяти, которую можно еще сегодня купить, но ее рассвет уже прошел, и это самый старый вид оперативной памяти, который мы рассмотрим. Вам придется найти далеко не новые материнские платы и процессоры которые используют этот вид оперативной памяти, хотя множество существующих систем используют DDR оперативную память. Рабочее напряжение DDR - 2.5 вольт (обычно увеличивается при разгоне процессора), и является наибольшим потребителем электроэнергии из рассматриваемых нами 3 видов памяти.
- DDR2 - это наиболее распространенный вид памяти, который используется в современных компьютерах. Это не самый старый, но и не новейший вид оперативной памяти. DDR2 в общем работает быстрее чем DDR, и поэтому DDR2 имеет скорость передачи данных больше чем в предыдущей модели (самая медленная модель DDR2 по своей скорости равна самой быстрой модели DDR). DDR2 потребляет 1.8 вольт и, как в DDR, обычно увеличивается напряжение при разгоне процессора
- DDR3 - быстрый и новый тип памяти. Опять же, DDR3 развивает скорость больше чем DDR2, и таким образом самая низкая скорость такая же как и самая быстрая скорость DDR2. DDR3 потребляет электроэнергию меньше других видов оперативной памяти. DDR3 потребляет 1.5 вольт, и немного больше при разгоне процессора
Таблица 1: Технические характеристики оперативной памяти по стандартам JEDEC
JEDEC - Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)
Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа - PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.
Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как "тайминги памяти".
Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив - простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но чаще всего используются четыре из них:
- CAS Latency (CAS) - задержка в тактах между подачей сигнала CAS и непосредственно выдачей данных из соответствующей ячейки. Одна из важнейших характеристик любого модуля памяти;
- RAS to CAS Delay (tRCD) - количество тактов шины памяти, которые должны пройти после подачи сигнала RAS до того, как можно будет подать сигнал CAS;
- Row Precharge (tRP) - время закрытия страницы памяти в пределах одного банка, тратящееся на его перезарядку;
- Activate to Precharge (tRAS) - время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge), которой заканчивается работа с этой строкой, или закрытия одного и того же банка.
Если вы увидите на модулях обозначения "2-2-2-5" или "3-4-4-7", можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.
Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR - 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, к примеру, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 - экстремальный вариант для отборных "оверклокерских" микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS - чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.
В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:
Таблица 2: Общие скорости памяти DDR и спецификации
Таблица 3: Общие скорости памяти DDR2 и спецификации
| Тип | Частота шины | Скорость передачи данных | Тайминги | Заметки |
|---|---|---|---|---|
| PC3-8500 | 533 | 1066 | 7-7-7-20 | чаще называемые DDR3-1066 |
| PC3-10666 | 667 | 1333 | 7-7-7-20 | чаще называемые DDR3-1333 |
| PC3-12800 | 800 | 1600 | 9-9-9-24 | чаще называемые DDR3-1600 |
| PC3-14400 | 900 | 1800 | 9-9-9-24 | чаще называемые DDR3-1800 |
| PC3-16000 | 1000 | 2000 | TBD | чаще называемые DDR3-2000 |
Таблица 4: Общие скорости памяти DDR3 и спецификации
DDR3 можно назвать новичком среди моделей памяти. Модули памяти этого вида, доступны только около года. Эффективность этой памяти продолжает расти, только недавно достигла границ JEDEC, и вышла за эти границы. Сегодня DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) широко доступна, и все больше производителей уже предлагают DDR3-1800). Прототипы DDR3-2000 показаны на современном рынке, и в продажу должны поступить в конце этого года - начале следующего года.
Процент поступления на рынок модулей памяти DDR3, согласно с данными производителей, все еще небольшая, в пределах 1%-2%, и это значит, что DDR3 должен пройти длинный путь прежде чем будет соответствовать продажам DDR (все еще находиться в пределах 12%-16%) и это позволит DDR3 приблизиться к продажам DDR2. (25%-35% по показателям производителей).
Появление на рынке ОЗУ DDR4 пошатнуло незыблемые позиции ее предшественника. Она обладает более высокими техническими характеристиками и у многих пользователей возник закономерный вопрос, какая планка ОЗУ лучше? Многочисленные тесты и сравнения оперативной памяти четвертого поколения с DDR3 показывают, в чем заключается разница между ними. При выборе модуля памяти формата DDR3 следует учитывать, что у него отсутствует совместимость с DDR4.
Компьютера — один из компонентов, который отвечает за его производительность: скорость обработки информации и максимальный объем данных, обрабатываемых в данный момент. До 2015 года первые позиции прочно удерживало ОЗУ третьего поколения DDR3, но с появлением DDR4 ситуация начала меняться в сторону последней модификации. Появление оперативной памяти четвертого поколения вызвало большой ажиотаж на рынке компьютерной техники, одновременно с этим возник закономерный вопрос, что лучше DDR3 или DDR4 и не является ли появление последней модели обычным маркетинговым ходом?
История развития DDR4
Разработкой ОЗУ четвертого поколения компания JEDEK занялась еще в далеком 2005 году, когда самой современной модификацией была DDR2. Инженеры компании уже в то время осознали, что второе поколение оперативной памяти не сможет отвечать требованиям, стремительно развивающимся процессорам и остальным комплектующим ПК. Даже анонсированный выход ОЗУ третьего поколения не сможет в полной мере справиться с поставленной задачей. Для решения проблемы не достаточно простого увлечения скорости обработки данных как это было сделано в DDR3. Необходимо учитывать такие параметры как энергопотребление и объем, которые влияют на пропускную способность устройства.
Внимание! Для работы со специализированными программами: пакеты для объемного проектирования, редакторы фото или видео главным параметром выбора оперативной памяти является ее пропускная способность, т. е. скорость обработки информации.
В 2015 году с появлением на рынке платформ Socket LGA1151 пользователям ПК представилась возможность произвести сравнительный анализ ОЗУ третьего и четвертого поколения в одинаковых условиях.
Технические характеристики
Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.
DDR3
Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:
- Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
- Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
- Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.
Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.
DDR4
ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.
Сравнение DDR3 и DDR4
Исходя из технических характеристик видно, что время задержки у DDR4 выше, чем у ее предшественника. Однако при линейном чтении данных или их сохранении за счет практически не меняющихся таймингов эта разница компенсируется, и ОЗУ четвертой модели выигрывает. При работе в многопоточном режиме за счет меньшей латентности выигрывает DDR3 в пределах статистической погрешности. Выполняя сжатие файлов большого размера (объем от 1,5 ГБ и выше), потраченное время на операцию у DDR4 на 3 % меньше, чем у DDR3. Спецификация оперативной памяти третьего поколения предусматривает использование Vddr напряжение. При осуществлении энергозатратных операций оно повышается за счет встроенных преобразователей, тем самым происходит обильное излучение тепла. Модуль DDR4 получает необходимое напряжение от внешнего источника питания (Vpp).
В ОЗУ четвертой модели реализована технология Pseudo-Open Draid, она позволила полностью устранить утечки тока, что наблюдалось в предыдущей версии, где используется Series-Stub Terminated Logic. Применение данного интерфейса для ввода и вывода данных позволило снизить потребление энергии до 30 %. Что касается объема памяти планки DDR4, то минимальное значение составляет 4 ГБ, а для DDR3 оно является оптимальным т. к. максимальное равно 8 ГБ. Структура оперативной памяти третьего поколения позволяет разместить до 8 банков памяти с длиной строки 2048 байт. Последняя модификация ОЗУ имеет 16 банков и длину строки 512 байт, что увеличивает скорость переключения между строками и банками.
Из сравнения DDR3 и DDR4 можно сделать вывод, что последнее поколение ОЗУ обходит своего предшественника практически по всем параметрам, но эта разница мало заметна для обычного пользователя. DDR3L 1600 МГц в сочетании с Intel Core i5 практически не уступают DDR4. ОЗУ четвертого поколения рекомендуется устанавливать для современных игр или работы в специализированных программах, которые требуют большого объема памяти и высокой скорости обработки данных.
Сравнение оперативной памяти DDR 3 и DDR 4: видео